Втора'я респу'блика, период республиканского правления во Франции, установленного 25 февраля 1848 (см. Революция 1848 во Франции) после падения Июльской монархии. В. р. существовала до 2 декабря 1851, формально до 2 декабря 1852, когда была провозглашена Вторая империя.

Втора'я сигна'льная систе'ма, свойственная человеку качественно особая форма высшей нервной деятельности — система речевых сигналов (произносимых, слышимых и видимых). Понятие, выдвинутое И. П. Павловым (1932) для определения принципиальных различий в работе головного мозга животных и человека. Мозг животного отвечает лишь на непосредственные зрительные, звуковые и другие раздражения или их следы; возникающие ощущения составляют первую сигнальную систему (П. с. с.) действительности. Человек же обладает помимо того способностью обобщать словом бесчисленные сигналы П. с. с.; при этом слово, по выражению И. П. Павлова, становится сигналом сигналов. Анализ и синтез, осуществляемый корой больших полушарий головного мозга, в связи с наличием В. с. с. касается уже не только отдельных конкретных раздражителей, но и их обобщений, представленных в словах. В. с. с. возникла в процессе эволюции, в процессе общественного труда. Способность к обобщённому отражению явлений и предметов обеспечила человеку неограниченную возможность ориентации в окружающем мире и позволила ему создать науку. П. с. с. и В. с. с. — различные уровни единой высшей нервной деятельности, но В. с. с. играет ведущую роль. Формирование В. с. с. происходит только под влиянием общения человека с другими людьми, т. е. определяется не только биологическими, но и социальными факторами. Характер взаимодействия П. с. с. и В. с. с. может варьировать в зависимости от условий воспитания (социальный фактор) и особенностей нервной системы (биологический фактор). Одни люди отличаются относительной слабостью П. с. с. — их непосредственные ощущения бледны и слабы (мыслительный тип), другие, наоборот, воспринимают сигналы П. с. с. ярко и сильно (художественный тип). Для полноценного развития личности необходимо своевременное и правильное развитие обеих сигнальных систем.

  В изучении В. с. с. вначале преобладало накопление фактов, характеризующих значение обобщающей функции словесных сигналов, а затем — вскрытие нервных механизмов действия слова. Установлено, что процесс обобщения словом развивается как результат выработки системы условных связей (см. Условные рефлексы); при этом имеет значение не только количество связей, но и их характер: связи, выработанные во время деятельности ребёнка, облегчают процесс обобщения. При воздействии словесных сигналов наблюдаются стойкие изменения возбудимости, большая сила, частота и длительность электрических разрядов в нервных клетках определённых пунктов коры мозга. Развитие В. с. с. — результат деятельности всей коры больших полушарий; связать этот процесс с функцией какого-то ограниченного отдела мозга невозможно.

  Лит.: Павлов И. П., Поли. собр. трудов, т. 1—5, М. — Л., 1940—49; Красногорский Н. И., Труды по изучению высшей нервной деятельности человека и животных, т. 1, М., 1954; Бойко Е. И., Основные положения высшей нейродинамики, в сб.: Пограничные проблемы психологии и физиологии, М., 1961; Кольцова М. М., Обобщение как функция мозга, Л., 1967.

  М. М. Кольцова.

Втори'чная по'лость тела, полость между стенкой тела и внутренними органами у кольчатых червей, иглокожих и всех хордовых; то же, что целом.

Втори'чная по'чка, то же, что метанефрос.

Втори'чная электро'нная эми'ссия, испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами. Открыта в 1902 немецкими физиками Аустином и Г. Штарке. Электроны, бомбардирующие тело, называются первичными, испущенные — вторичными. Часть первичных электронов отражается телом без потери энергии (упруго отражённые первичные электроны), остальные — с потерями энергии (неупруго отражённые электроны), расходуемой в основном на возбуждение электронов твёрдого тела, переходящих на более высокие уровни энергии. Если их энергия и импульс оказываются достаточно большими для преодоления потенциального барьера на поверхности тела, то электроны покидают поверхность тела (истинно вторичные электроны). Все три группы электронов присутствуют в регистрируемом потоке вторичных электронов (рис. 1).

  В тонких плёнках В. э. э. наблюдается не только с той поверхности, которая подвергается бомбардировке (эмиссия на отражение, рис. 2, а), но и с противоположной поверхности (эмиссия на прострел, рис. 2, б).

  Количественно В. э. э. характеризуется коэффициентом В. э. э. σ = i_вт/i_п , где — i_вт ток, образованный вторичными электронами, i_п — ток первичных электронов, коэффициент упругого r = i_r/i_п и неупругого η = i_η/i_п отражения электронов, а также коэффициентом эмиссии истинно вторичных электронов δ = i_δ/i_п (i_r, i_η, i_δ — токи, соответствующие упруго отражённым, неупруго отражённым и истинно вторичным электронам, i_вт = i_r + i_δ + i_δ).

  Коэффициент σ, r, η и δ зависят как от энергии первичных электронов E_п и угла их падения, так и от химического состава, метода изготовления и состояния поверхности облучаемого образца. В металлах, где плотность электронов проводимости велика, образовавшиеся вторичные электроны имеют малую вероятность выйти наружу. В диэлектриках, где концентрация электронов проводимости мала, вероятность выхода вторичных электронов больше. Вместе с тем вероятность выхода электронов зависит от высоты потенциального барьера на поверхности. В результате у ряда неметаллических веществ (окислы щёлочноземельных металлов, щёлочногалоидные соединения) σ > 1 (рис. 3). У специально изготовленных эффективных эмиттеров (интерметаллические соединения типа сурьмянощелочных металлов, спецтальным образом активированные сплавы CuAlMg, AgAlMg, AgAlMgZi и др.) s 1. У металлов же и собственных полупроводников значение сравнительно невелико (рис. 4). У углерода (сажи) и окислов переходных металлов σ < 1 ,и они могут применяться как антиэмиссионные покрытия.

  С увеличением энергии E_п первичных электронов σ сначала возрастает (рис. 3, 4). Это происходит до тех пор, пока возбуждение электронов тела происходит вблизи поверхности на расстоянии меньшем, чем их длина пробега. При дальнейшем росте E_п общее число возбуждённых электронов продолжает расти, но основная часть их рождается на большей глубине и число электронов, выходящих наружу, уменьшается. Аналогично объясняется рост s с увеличением угла падения пучка первичных электронов.