Лит.: Полупроводниковые детекторы ядерных частиц и их применение, М., 1967; Дирнли Дж., Нортроп Д., Полупроводниковые счетчики ядерных излучений, пер. с англ., М., 1966; Полупроводниковые детекторы ядерного излучения, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, в. 25, М., 1971 (Авт.: Рывкин С. М., Матвеев О. А., Новиков С. Р., Строкан Н. Б.).

  А. Г. Беда. В. С. Кафтанов.

Полупроводниковые детекторы; штриховкой выделена чувствительная область; n — область полупроводника с электронной проводимостью, р — с дырочной, i — с собственной проводимостями; а — кремниевый поверхностно-барьерный детектор; б — дрейфовый германий-литиевый планарный детектор; в — германий-литиевый коаксиальный детектор.

Полупроводнико'вый дио'д, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие «П. д.» объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение. Система классификации П. д. соответствует общей системе классификации полупроводниковых приборов . В наиболее распространённом классе электропреобразовательных П. д. различают: выпрямительные диоды, импульсные диоды, стабилитроны, диоды СВЧ (в т. ч. видеодетекторы, смесительные, параметрические, усилительные и генераторные, умножительные, переключательные). Среди оптоэлектронных П. д. выделяют фотодиоды, светоизлучающие диоды и ПП квантовые генераторы.

  Наиболее многочисленны П. д., действие которых основано на использовании свойств электронно-дырочного перехода (р—n -перехода). Если к р—n -переходу диода (рис. 1 ) приложить напряжение в прямом направлении (т. н. прямое смещение), т. е. подать на его р-область положительный потенциал, то потенциальный барьер , соответствующий переходу, понижается и начинается интенсивная инжекция дырок из р -области в n -область и электронов из n -области в р -область — течёт большой прямой ток (рис. 2 ). Если приложить напряжение в обратном направлении (обратное смещение), то потенциальный барьер повышается и через р—n- переход протекает лишь очень малый ток неосновных носителей заряда (обратный ток). На рис. 3 приведена эквивалентная схема такого П. д.

  На резкой несимметричности вольтамперной характеристики (ВАХ) основана работа выпрямительных (силовых) диодов. Для выпрямительных устройств и др. сильноточных электрических цепей выпускаются выпрямительные П. д., имеющие допустимый выпрямленный ток I_в до 300 а и максимальное допустимое обратное напряжение U*_обр от 20—30 в до 1—2 кв. П. д. аналогичного применения для слаботочных цепей имеют I_в < 0,1 а и называются универсальными. При напряжениях, превышающих U*_o6p , ток резко возрастает, и возникает необратимый (тепловой) пробой р—n -перехода, приводящий к выходу П. д. из строя. С целью повышения U*_обр до нескольких десятков кв используют выпрямительные столбы , в которых несколько одинаковых выпрямительных П. д. соединены последовательно и смонтированы в общем пластмассовом корпусе. Инерционность выпрямительных диодов, обусловленная тем, что время жизни инжектированных дырок (см. Полупроводники ) составляет > 10^-5 —10^-4 сек, ограничивает частотный предел их применения (обычно областью частот 50—2000 гц ).

  Использование специальных технологических приёмов (главным образом легирование германия и кремния золотом) позволило снизить время переключения до 10^-7 — 10^-10 сек и создать быстродействующие импульсные П. д., используемые, наряду с диодными матрицами , главным образом в слаботочных сигнальных цепях ЭВМ.

  При невысоких пробивных напряжениях обычно развивается не тепловой, а обратимый лавинный пробой р—n -перехода — резкое нарастание тока при почти неизменном напряжении, называется напряжением стабилизации U_cт . На использовании такого пробоя основана работа полупроводниковых стабилитронов . Стабилитроны общего назначения с U _cт от 3—5 в до 100—150 в применяют главным образом в стабилизаторах и ограничителях постоянного и импульсного напряжения; прецизионные стабилитроны, у которых встраиванием компенсирующих элементов достигается исключительно высокая температурная стабильность U_cт (до 1×10^-5 — 5×10^-6 К^-1 ), — в качестве источников эталонного и опорного напряжений.

  В предпробойной области обратный ток диода подвержен очень значительным флуктуациям; это свойство р—n- перехода используют для создания генераторов шума. Инерционность развития лавинного пробоя в р—n -переходе (характеризующаяся временем 10^-9 —10^-10 сек ) обусловливает сдвиг фаз между током и напряжением в диоде, вызывая (при соответствующей схеме включения его в электрическую цепь) генерирование СВЧ колебаний. Это свойство успешно используют в лавинно-пролётных полупроводниковых диодах , позволяющих осуществлять генераторы с частотами до 150 Ггц.

  Для детектирования и преобразования электрических сигналов в области СВЧ используют смесительные П. д. и видеодетекторы, в большинстве которых р—n -переход образуется под точечным контактом. Это обеспечивает малое значение ёмкости С_в (рис. 3 ), а специфическое, как и у всех СВЧ диодов, конструктивное оформление обеспечивает малые значения паразитных индуктивности L_k и ёмкости С_к и возможность монтажа диода в волноводных системах.

  При подаче на р—n -переход обратного смещения, не превышающего U*_обр , он ведёт себя как высокодобротный конденсатор, у которого ёмкость С_в зависит от величины приложенного напряжения. Это свойство используют в варикапах , применяемых преимущественно для электронной перестройки резонансной частоты колебательных контуров, в параметрических полупроводниковых диодах , служащих для усиления СВЧ колебаний, в варакторах и умножительных диодах, служащих для умножения частоты колебаний в диапазоне СВЧ. В этих П. д. стремятся уменьшить величину сопротивления r_б (основной источник активных потерь энергии) и усилить зависимость ёмкости С_в от напряжения U_o6p .

  У р—n -перехода на основе очень низкоомного (вырожденного) полупроводника область, обеднённая носителями заряда, оказывается очень тонкой (~ 10^-2 мкм ), и для неё становится существенным туннельный механизм перехода электронов и дырок через потенциальный барьер (см. Туннельный эффект ). На этом свойстве основана работа туннельного диода , применяемого в сверхбыстродействующих импульсных устройствах (например, мультивибраторах , триггерах ), в усилителях и генераторах колебаний СВЧ, а также обращенного диода, применяемого в качестве детектора слабых сигналов и смесителя СВЧ колебаний. Их ВАХ (рис. 4 ) существенно отличаются от ВАХ других П. д. как наличием участка с «отрицательной проводимостью», ярко выраженной у туннельного диода, так и высокой проводимостью при нулевом напряжении.