Другое важное О. п. связано с законом сохранения полной чётности для изолированной квантовой системы (этот закон нарушается лишь слабым взаимодействием элементарных частиц). Квантовые состояния атомов, всегда имеющих центр симметрии, а также тех молекул и кристаллов, которые имеют такой центр, делятся на чётные и нечётные по отношению к пространств. инверсии (отражению в центре симметрии, т. е. к преобразованию координат х' ® —х, у' ® —у, z' ® —z); в этих случаях справедлив т. н. альтернативный запрет для излучательных квантовых переходов: для электрического дипольного излучения запрещены переходы между состояниями одинаковой чётности (т. е. между чётными или между нечётными состояниями), а для дипольного магнитного и квадрупольного электрического излучений (и для комбинационного рассеяния) запрещены переходы между состояниями различной чётности (т. е. между чётными и нечётными состояниями. В силу этого запрета можно наблюдать, частности в атомных спектрах астрономических объектов, линии, соответствующие магнитным дипольным и электрическим квадрупольным переходам, обладающим очень малой вероятностью по сравнению с дипольными электрическими переходами (т. н. запрещённые линии).
Наряду с точными О. п. по J и mJ существенны приближённые О. п. при дипольном излучении атомов для квантовых чисел, определяющих величины орбитальных и спиновых моментов электронов и проекций этих моментов. Например, для атома с одним внешним электроном азимутальное квантовое число l, определяющее величину орбитального момента электрона Ml M 2l =
2 l (l + 1), может изменяться на ± 1 (Dl = 0 невозможно, т.к. состояния с одинаковыми l имеют одинаковую чётность: они чётные при чётном l и нечётные при нечётном l). Для сложных атомов квантовое число L, определяющее полный орбитальный момент всех электронов, подчинено приближённому О. п. DL = 0, ±1, а квантовое число S, определяющее полный спиновый момент всех электронов (и мультиплетность k = 2S + 1), — приближённому О. п. DS = 0, справедливому, если не учитывать спин-орбитальное взаимодействие. Учёт этого взаимодействия нарушает последнее О. п., и появляются т. н. интеркомбинационные переходы, вероятности которых тем больше, чем больше атомный номер элемента.Для молекул имеются специфические О. п. для электронных, колебательные и вращательные молекулярных спектров, определяемые симметрией равновесных конфигураций молекул, а для кристаллов — О. п. для их электронных и колебательных спектров, определяемые симметрией кристаллической решётки (см. Спектроскопия).
В физике элементарных частиц, кроме общих законов сохранения энергии, импульса, момента количества движения, имеются дополнительные законы сохранения, связанные с симметриями фундаментальных взаимодействий частиц — сильного, электромагнитного и слабого. Процессы превращения элементарных частиц подчиняются строгим законам сохранения электрического заряда Q, барионного заряда В и, по-видимому, лептонного заряда L, которым соответствуют строгие О. п.: DQ = DВ = DL = 0. Существуют также приближенные О. п. Из изотопической инвариантности сильного взаимодействия следует О. п. по полному изотопическому спину I, DI = 0; это О. п. нарушается электромагнитными и слабыми взаимодействиями. Для сильного и электромагнитного взаимодействий справедливо О. п. по странности S, DS = 0; слабые взаимодействия протекают с нарушением этого О. п.: |DS| = 1. Как было отмечено выше, в процессах, вызванных слабым взаимодействием, нарушается также закон сохранения пространственной чётности, справедливый для всех др. видов взаимодействий. Имеются и др. О. п. См. Элементарные частицы.
Об О. п. в ядерной физике см. Ядерная спектроскопия.
Лит. см. при статьях Атомная физика, Молекулярные спектры, Элементарные частицы.
М. А. Ельяшевич.
Отбортовка
Отборто'вка, операция листовой штамповки, в результате которой пластической деформацией исходной плоской заготовки образуют борт по контуру заранее пробитого в ней отверстия или по внешнему контуру. В первом случае О. производят заострённым пуансоном в матрице за счёт изгиба и растяжения стенки заготовки вокруг заранее пробитого в ней отверстия, получают цилиндрический борт. Во втором случае борт по внешнему контуру заготовки получают методом штамповки резиной. Такой борт обычно имеет гофры (изгибы), для устранения которых требуется доводка вручную или в штампе.
Отвал
Отва'л, насыпь на поверхности горного отвода, в которой размещаются пустые породы или некондиционное полезное ископаемое (удаляемое при разработке месторождений), хвосты обогатительных фабрик или шламы металлургических заводов. При открытой разработке месторождений полезных ископаемых О. подразделяют: по месту расположения — на внутренние (размещаемые в выработанном пространстве карьеров) и внешние (отсыпаемые вне карьеров); по рельефу местности — на равнинные и нагорные; по количеству ярусов отсыпки — на одноярусные и многоярусные; по способу механизации работ — на экскаваторные, плужные, абзетцерные, бульдозерные, гидравлические и комбинированные.
Строительство О. начинают с создания первоначальной (пионерной) отвальной насыпи, при этом используют драглайны, механические лопаты, абзетцеры, бульдозеры, скреперы. Отсыпку О. в процессе горных работ производят преимущественно полосами (заходками). Развитие О. по площади может быть параллельным, веерным, криволинейным и кольцевым; распространено параллельное или криволинейное перемещение фронта. Развитие отвального фронта от первоначального положения может быть односторонним и двусторонним. Основные геометрические параметры О.: площадь, высота и угол откоса. Большое значение придаётся устойчивости отвальных откосов, определяющейся взаимосвязанным влиянием инженерно-геологической обстановки и технологии отвалообразования, геологическим строением О. и основания (литологический состав пород, их структура и текстура, гипсометрия поверхности основания), водно-физическими и механическими свойствами отвальных пород, способом отвалообразования.
Высота О. мягких пород и пород средней крепости обычно не превышает 30 м. Сложенные крепкими породами О. имеют высоту до 60 м. В отдельных случаях (на косогорах, в ущельях) высота О. крепких пород достигает 300 м. При разработке месторождений подземным способом О. пустых пород на поверхности называется терриконниками. После окончания горных работ О. подвергают рекультивации.
Б. К. Александров, Б. А. Симкин.